在25℃真空下干燥100小时之后的γ-Al2O3其表面每平方纳米仍吸持18个水分子，并形成羟基化表面。红外分析证明，γ-Al2O3表面存在五种类型羟基，其中A、B和C位羟基是主要羟基。A位羟基因有四个最邻近的氧离子，负电性最强，具有路易斯强碱行为。C位羟基紧邻的是四个空位，故正电性最强，具有路易斯酸行为。B位羟基接近中性。—OH伸展频率随电子密度的减少而降低
在25℃真空下干燥100小时之后的γ-Al2O3其表面每平方纳米仍吸持18个水分子，并形成羟基化表面。红外分析证明，γ-Al2O3表面存在五种类型羟基，其中A、B和C位羟基是主要羟基。A位羟基因有四个最邻近的氧离子，负电性最强，具有路易斯强碱行为。C位羟基紧邻的是四个空位，故正电性最强，具有路易斯酸行为。B位羟基接近中性。—OH伸展频率随电子密度的减少而降低，即A＞D＞B＞E＞C。
表1 γ-Al2O3表面羟基特征
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